يشترى FQI19N20TU مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FQI19N20TU
- رقم القطعة:
- FQI19N20TU
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17399 Pieces
- ورقة البيانات:
- FQI19N20TU.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FQI19N20TU ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FQI19N20TU عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | I2PAK |
| سلسلة: | QFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 150 mOhm @ 9.7A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.13W (Ta), 140W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | FQI19N20TU |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1600pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 40nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 19.4A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Through Hole I2PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 19.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFQI19N20TU
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PSMN013-100XS,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F | تحقيق |
 |
IXFL70N60Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264 | تحقيق |
 |
AUIRL1404ZL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 160A TO262 | تحقيق |
 |
FQI19N20CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK | تحقيق |
 |
PMV65UNER | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V TO-236AB | تحقيق |
 |
CSD17570Q5B | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 53A 8VSON | تحقيق |
 |
NTMFS4C53NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL | تحقيق |
 |
SPP08N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB | تحقيق |
 |
STP6N95K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 9A TO-220 | تحقيق |
 |
SI7716ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8 | تحقيق |
 |
SI1069X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6 | تحقيق |
 |
STD16NF25 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 250V 13A DPAK | تحقيق |
 |
DMN31D5UFZ-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606- | تحقيق |
 |
IRF720STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK | تحقيق |
 |
AOTF12T60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V TO-220F | تحقيق |
 |
2N7000G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 | تحقيق |
 |
RJK5030DPD-00#J2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 5A MP3A | تحقيق |
|
CSD25484F4 | Texas Instruments | P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog