يشترى FQP19N20C مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FQP19N20C
- رقم القطعة:
- FQP19N20C
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14253 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.FQP19N20C.pdf2.FQP19N20C.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FQP19N20C ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FQP19N20C عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220-3 |
| سلسلة: | QFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 170 mOhm @ 9.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 139W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FQP19N20C |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1080pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 53nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 19A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 19A TO-220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFQP19N20C
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FQP19N20C_F080 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 19A TO-220 | تحقيق |
 |
IRFHM8334TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN | تحقيق |
|
FQP19N20CTSTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 19A TO-220 | تحقيق |
 |
ZVN0545GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223 | تحقيق |
|
FQP19N20L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 21A TO-220 | تحقيق |
|
FQP19N20 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220 | تحقيق |
 |
TK14C65W,S1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK | تحقيق |
 |
2SK2803 | Sanken | MOSFET N-CH 450V TO-220F | تحقيق |
 |
BSS192,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89 | تحقيق |
 |
2N7002 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT-23-3 | تحقيق |
|
FQP19N10 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 19A TO-220 | تحقيق |
|
FQP19N10L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 19A TO-220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog