FQP6N60C_F080
رقم القطعة:
FQP6N60C_F080
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18959 Pieces
ورقة البيانات:
1.FQP6N60C_F080.pdf2.FQP6N60C_F080.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FQP6N60C_F080 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FQP6N60C_F080 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FQP6N60C_F080 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220-3
سلسلة:QFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:2 Ohm @ 2.75A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):125W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:FQP6N60C_F080
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:810pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:20nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:5.5A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات