العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > FQU10N20TU_AM002
FQU10N20TU_AM002
FQU10N20TU_AM002
رقم القطعة:
FQU10N20TU_AM002
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13617 Pieces
ورقة البيانات:
FQU10N20TU_AM002.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FQU10N20TU_AM002 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FQU10N20TU_AM002 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FQU10N20TU_AM002 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I-Pak
سلسلة:QFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:360 mOhm @ 3.8A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2.5W (Ta), 51W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
درجة حرارة التشغيل:-
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:FQU10N20TU_AM002
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:670pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:18nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 200V 7.6A (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc) Through Hole I-Pak
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:7.6A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لFQU10N20TU_AM002

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
CPC3703CTR Image CPC3703CTR IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89 تحقيق
FQU10N20CTU Image FQU10N20CTU Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK تحقيق
STD150NH02L-1 Image STD150NH02L-1 STMicroelectronics MOSFET N-CH 24V 150A IPAK تحقيق
FQU10N20LTU Image FQU10N20LTU Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK تحقيق
FQU10N20TU Image FQU10N20TU Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK تحقيق
SI4660DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC تحقيق
FCPF20N60T Image FCPF20N60T Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F تحقيق
SQ4401EY-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 17.3A تحقيق
STI22NM60N Image STI22NM60N STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK تحقيق
GA20SICP12-247 Image GA20SICP12-247 GeneSiC Semiconductor TRANS SJT 1200V 45A TO247 تحقيق
SI4442DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC تحقيق
RJK0349DSP-01#J0 Image RJK0349DSP-01#J0 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP تحقيق
IPD50R2K0CEBTMA1 Infineon Technologies CONSUMER تحقيق

Latest الأخبار