يشترى FW907-TL-E مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FW907-TL-E
- رقم القطعة:
- FW907-TL-E
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 30V 10A/8A 8SOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19804 Pieces
- ورقة البيانات:
- FW907-TL-E.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FW907-TL-E ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FW907-TL-E عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOP |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 17 mOhm @ 10A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 2.5W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | FW907-TL-E |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1000pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17nC @ 10V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 10A, 8A 2.5W Surface Mount 8-SOP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 30V 10A/8A 8SOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10A, 8A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFW907-TL-E
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTMD6601NR2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC | تحقيق |
 |
IRF7555TR | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8 | تحقيق |
 |
IRF7905PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC | تحقيق |
 |
NDS9933A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
ZXMD63C02XTA | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP | تحقيق |
|
NDS8936 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC | تحقيق |
 |
FDMC7208S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A PWR33 | تحقيق |
 |
BUK9K45-100E,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D | تحقيق |
|
ZXMC4A16DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC | تحقيق |
 |
FC6546010R | Panasonic Electronic Components | MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SMINI6-F3 | تحقيق |
 |
APTC60DDAM45CT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | تحقيق |
|
FDG6322C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 25V SC70-6 | تحقيق |
|
IRF7313QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog