يشترى G3SBA20L-E3/51 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
G3SBA20L-E3/51
- رقم القطعة:
- G3SBA20L-E3/51
- وصف:
- DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19635 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.G3SBA20L-E3/51.pdf2.G3SBA20L-E3/51.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل G3SBA20L-E3/51 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك G3SBA20L-E3/51 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 200V |
|---|---|
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1V @ 2A |
| تكنولوجيا: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | GBU |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 4-SIP, GBU |
| اسماء اخرى: | G3SBA20L-E3/51-ND G3SBA20LE351 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | G3SBA20L-E3/51 |
| وصف موسع: | Bridge Rectifier Single Phase 200V 2.3A Through Hole GBU |
| نوع الصمام الثنائي: | Single Phase |
| وصف: | DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 2.3A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لG3SBA20L-E3/51
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
G3SBA20-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU | تحقيق |
 |
G3SBA20L-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 200V | تحقيق |
|
G3SBA20-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU | تحقيق |
|
G3SBA20L-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 200V | تحقيق |
|
G3SBA60-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 600V | تحقيق |
|
G3SBA20L-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU | تحقيق |
|
G3SBA20-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 200V | تحقيق |
|
G3SBA60-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 600V GBU | تحقيق |
|
G3SBA20-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 200V | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog