يشترى GA10JT12-263 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
---|---|
فغس (ماكس): | 3.5V |
تكنولوجيا: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
تجار الأجهزة حزمة: | - |
سلسلة: | - |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 120 mOhm @ 10A |
تبديد الطاقة (ماكس): | 170W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | - |
اسماء اخرى: | 1242-1186 GA10JT12-220ISO GA10JT12220ISO |
درجة حرارة التشغيل: | 175°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | GA10JT12-263 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1403pF @ 800V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
نوع FET: | - |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | 1200V (1.2kV) 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | - |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
وصف: | TRANS SJT 1200V 25A |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 25A (Tc) |
Email: | [email protected] |