يشترى GBPC3506W مع BYCHPS
شراء مع ضمان
GBPC3506W
- رقم القطعة:
- GBPC3506W
- الصانع:
- GeneSiC Semiconductor
- وصف:
- DIODE BRIDGE 600V 35A GBPC-W
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15681 Pieces
- ورقة البيانات:
- GBPC3506W.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GBPC3506W ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GBPC3506W عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 600V |
|---|---|
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.1V @ 17.5A |
| تكنولوجيا: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | GBPC-W |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 4-Square, GBPC-W |
| اسماء اخرى: | GBPC3506WGS |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | GBPC3506W |
| وصف موسع: | Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A Through Hole GBPC-W |
| نوع الصمام الثنائي: | Single Phase |
| وصف: | DIODE BRIDGE 600V 35A GBPC-W |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 35A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لGBPC3506W
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
GBPC3510W | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 1000V 35A GBPC-T/W | تحقيق |
|
GBPC3501W | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 100V 35A GBPC-W | تحقيق |
 |
GBPC35010T | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 1000V 35A GBPC-T/W | تحقيق |
 |
GBPC3504T | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 400V 35A GBPC-T/W | تحقيق |
 |
GBPC3501T | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 100V 35A GBPC-T/W | تحقيق |
|
GBPC3504W | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 400V 35A GBPC-T/W | تحقيق |
|
GBPC35005T | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 50V 35A GBPC-T/W | تحقيق |
|
GBPC3508T | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 800V 35A GBPC-T/W | تحقيق |
|
GBPC3502T | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 200V 35A GBPC-T/W | تحقيق |
|
GBPC3506T | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 600V 35A GBPC-T/W | تحقيق |
|
GBPC3502W | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 200V 35A GBPC-W | تحقيق |
|
GBPC3508W | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 800V 35A GBPC-T/W | تحقيق |
|
GBPC35005W | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 50V 35A GBPC-W | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog