GBU410 - Diodes Incorporated - الثنائيات الصمامات الجسر GBU410 - BYCHIPS

GBU410

رقم القطعة:: GBU410

الصانع:: Diodes Incorporated

وصف:: RECT BRIDGE GPP 1000V 4A GBU

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 16793 Pieces

ورقة البيانات:: GBU410.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GBU410 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GBU410 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى GBU410 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - قمة عكسي (ماكس):	1000V
الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:	1V @ 2A
تكنولوجيا:	Standard
تجار الأجهزة حزمة:	GBU
سلسلة:	-
التعبئة والتغليف:	Tube
حزمة / كيس:	4-SIP, GBU
اسماء اخرى:	GBU410DI
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	7 Weeks
الصانع الجزء رقم:	GBU410
وصف موسع:	Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole GBU
نوع الصمام الثنائي:	Single Phase
وصف:	RECT BRIDGE GPP 1000V 4A GBU
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:	5µA @ 1000V
الحالي - متوسط مصحح (أيو):	4A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لGBU410

صورة	رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
	VJ247M	Microsemi Corporation	DIODE AVALANCHE BRIDGE 250V	تحقيق
	CBRHD-06 BK	Central Semiconductor Corp	IC RECT BRIDGE 600V 0.5A HD DIP	تحقيق
	DBB08G-TM-E	ON Semiconductor	DIODE BRIDGE 1PH 0.8A 600V 4SMD	تحقيق
	DF04M	Fairchild/ON Semiconductor	IC RECT BRIDGE 400V 1.5A 4DIP	تحقيق
	DF06S1	Fairchild/ON Semiconductor	BRIDGE RECT 1A 600V 4SDIP	تحقيق
	B05S-G	Comchip Technology	RECT BRIDGE GPP 50V 0.8A MBS	تحقيق
	SCBH4F	Semtech Corporation	BRIDGE RECT 4A 400V	تحقيق
	GBPC1202W	Fairchild/ON Semiconductor	RECT BRIDGE GPP 12A 200V GBPC-W	تحقيق
	GBU4G-M3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT GPP 4A 400V GBU	تحقيق
	VUO50-08NO3	IXYS	BRIDGE RECT 3 PHASE 800V 58A	تحقيق
	VUO62-14NO7	IXYS	RECT BRIDGE 3PH 63A 1400V PWS-D	تحقيق
	B6S-G	Comchip Technology	RECT BRIDGE GPP 600V 0.8A MBS	تحقيق

Latest الأخبار