يشترى GKI06109 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
GKI06109
- رقم القطعة:
- GKI06109
- الصانع:
- Sanken Electric Co., Ltd.
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16959 Pieces
- ورقة البيانات:
- GKI06109.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GKI06109 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GKI06109 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 650µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-DFN (5x6) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 8.9 mOhm @ 23.6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.1W (Ta), 59W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerTDFN |
| اسماء اخرى: | GKI06109 DK GKI06109TR |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | GKI06109 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2520pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 38.6nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 9A (Ta) 3.1W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لGKI06109
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
GKI06185 | Sanken | MOSFET N-CH 60V 7A 8DFN | تحقيق |
 |
IXTH48N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 48A TO-247 | تحقيق |
 |
R6076ENZ1C9 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 76A TO247 | تحقيق |
 |
CSD16322Q5C | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 97A 8SON | تحقيق |
 |
CPH6355-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3A CPH6 | تحقيق |
 |
IXFJ20N85X | IXYS | MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247-3 | تحقيق |
 |
IPD70N10S312ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 | تحقيق |
 |
DMG2301L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 | تحقيق |
|
GKI06259 | Sanken | MOSFET N-CH 60V 6A 8DFN | تحقيق |
 |
SI4412ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IPB100N10S3-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | تحقيق |
|
GKI06071 | Sanken | MOSFET N-CH 60V 11A 8DFN | تحقيق |
|
IPB093N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3 | تحقيق |
 |
BUK78150-55A,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 | تحقيق |
 |
RRS110N03TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | تحقيق |
|
ZXM41N10FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | تحقيق |
|
ZVN3306FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.15A SOT23-3 | تحقيق |
 |
FQPF6N80 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F | تحقيق |
|
IRLZ44ZSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog