العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > GP1M009A050HS
GP1M009A050HS
GP1M009A050HS
رقم القطعة:
GP1M009A050HS
الصانع:
Global Power Technologies Group
وصف:
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12923 Pieces
ورقة البيانات:
GP1M009A050HS.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GP1M009A050HS ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GP1M009A050HS عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى GP1M009A050HS مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:850 mOhm @ 4.25A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):127W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-220-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:GP1M009A050HS
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1195pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:24nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 500V 8.5A (Tc) 127W (Tc) Through Hole TO-220
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف:MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:8.5A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لGP1M009A050HS

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
GP1M009A090N Image GP1M009A090N Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN تحقيق
GP1M009A020FG Image GP1M009A020FG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 200V 9A TO220F تحقيق
GP1M009A090FH Image GP1M009A090FH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 900V 9A TO220F تحقيق
GP1M009A060FH Image GP1M009A060FH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 600V 9A TO220F تحقيق
GP1M009A050FSH Image GP1M009A050FSH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F تحقيق
GP1M009A020HG Image GP1M009A020HG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 200V 9A TO220 تحقيق
GP1M009A090H Image GP1M009A090H Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 900V 9A TO220 تحقيق
GP1M009A020CG Image GP1M009A020CG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 200V 9A DPAK تحقيق
GP1M009A060H Image GP1M009A060H Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 600V 9A TO220 تحقيق
GP1M009A020PG Image GP1M009A020PG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 200V 9A IPAK تحقيق
GP1M009A070F Image GP1M009A070F Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 700V 9A TO220F تحقيق

Latest الأخبار