العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > GP1M011A050HS
GP1M011A050HS
GP1M011A050HS
رقم القطعة:
GP1M011A050HS
الصانع:
Global Power Technologies Group
وصف:
MOSFET N-CH 500V 10A TO220
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15826 Pieces
ورقة البيانات:
GP1M011A050HS.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GP1M011A050HS ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GP1M011A050HS عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى GP1M011A050HS مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:700 mOhm @ 5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):158W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-220-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:GP1M011A050HS
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1546pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:28nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 500V 10A (Tc) 158W (Tc) Through Hole TO-220
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف:MOSFET N-CH 500V 10A TO220
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لGP1M011A050HS

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
GP1M015A050H Image GP1M015A050H Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 14A TO220 تحقيق
GP1M010A080FH Image GP1M010A080FH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F تحقيق
GP1M011A050FSH Image GP1M011A050FSH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 10A TO220F تحقيق
GP1M010A080H Image GP1M010A080H Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220 تحقيق
GP1M011A050FH Image GP1M011A050FH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 11A TO220F تحقيق
GP1M010A080N Image GP1M010A080N Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN تحقيق
GP1M016A025PG Image GP1M016A025PG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 250V 16A IPAK تحقيق
GP1M011A050H Image GP1M011A050H Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 11A TO220 تحقيق
GP1M015A050FH Image GP1M015A050FH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 14A TO220F تحقيق
GP1M010A060H Image GP1M010A060H Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 600V 10A TO220 تحقيق

Latest الأخبار