GP1M016A060N
GP1M016A060N
رقم القطعة:
GP1M016A060N
الصانع:
Global Power Technologies Group
وصف:
MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13551 Pieces
ورقة البيانات:
GP1M016A060N.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GP1M016A060N ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GP1M016A060N عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى GP1M016A060N مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-3PN
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:470 mOhm @ 8A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):312W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-3P-3, SC-65-3
اسماء اخرى:1560-1188-1
1560-1188-1-ND
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:GP1M016A060N
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3039pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:53nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 16A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات