العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > GP1M018A020PG
GP1M018A020PG
GP1M018A020PG
رقم القطعة:
GP1M018A020PG
الصانع:
Global Power Technologies Group
وصف:
MOSFET N-CH 200V 18A IPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12453 Pieces
ورقة البيانات:
GP1M018A020PG.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GP1M018A020PG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GP1M018A020PG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى GP1M018A020PG مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I-Pak
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:170 mOhm @ 9A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):94W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
اسماء اخرى:1560-1190-1
1560-1190-1-ND
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:GP1M018A020PG
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:950pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:18nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 200V 18A (Tc) 94W (Tc) Through Hole I-Pak
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET N-CH 200V 18A IPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لGP1M018A020PG

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
GP1M018A020HG Image GP1M018A020HG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 200V 18A TO220 تحقيق
GP1M018A020FG Image GP1M018A020FG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 200V 18A TO220F تحقيق
GP1M010A080N Image GP1M010A080N Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN تحقيق
GP1M018A020CG Image GP1M018A020CG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 200V 18A DPAK تحقيق
GP1M015A050FH Image GP1M015A050FH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 14A TO220F تحقيق
GP1M010A060H Image GP1M010A060H Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 600V 10A TO220 تحقيق
GP1M010A080FH Image GP1M010A080FH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F تحقيق
GP1M016A025PG Image GP1M016A025PG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 250V 16A IPAK تحقيق
GP1M010A080H Image GP1M010A080H Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220 تحقيق
GP1M011A050FSH Image GP1M011A050FSH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 10A TO220F تحقيق
GP1M015A050H Image GP1M015A050H Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 14A TO220 تحقيق

Latest الأخبار