GP2M008A060HG - Global Power Technologies Group - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة GP2M008A060HG

GP2M008A060HG

رقم القطعة:: GP2M008A060HG

الصانع:: Global Power Technologies Group

وصف:: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 14474 Pieces

ورقة البيانات:: GP2M008A060HG.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GP2M008A060HG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GP2M008A060HG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى GP2M008A060HG مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	5V @ 250µA
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:	TO-220
سلسلة:	-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):	120W (Tc)
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	TO-220-3
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	GP2M008A060HG
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	1063pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	23nC @ 10V
نوع FET:	N-Channel
FET الميزة:	-
وصف موسع:	N-Channel 600V 7.5A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	600V
وصف:	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	7.5A (Tc)
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لGP2M008A060HG

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
GP2M008A060FG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F	تحقيق
GP2M008A060CG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK	تحقيق
GP2M008A060PGH	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK	تحقيق
GP2M008A060PG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK	تحقيق
GP2M008A060FGH	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار