العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > GP2M010A060H
GP2M010A060H
GP2M010A060H
رقم القطعة:
GP2M010A060H
الصانع:
Global Power Technologies Group
وصف:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18508 Pieces
ورقة البيانات:
GP2M010A060H.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GP2M010A060H ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GP2M010A060H عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى GP2M010A060H مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:700 mOhm @ 5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):198W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-220-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:GP2M010A060H
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1660pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:35nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 10A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-220
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 10A TO220
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لGP2M010A060H

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
GP2M012A060H Image GP2M012A060H Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 600V 12A TO220 تحقيق
GP2M013A050F Image GP2M013A050F Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 13A TO220F تحقيق
GP2M010A060F Image GP2M010A060F Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 600V 10A TO220F تحقيق
GP2M010A065H Image GP2M010A065H Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220 تحقيق
GP2M005A060PG Image GP2M005A060PG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK تحقيق
GP2M012A060F Image GP2M012A060F Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 600V 12A TO220F تحقيق
GP2M010A065F Image GP2M010A065F Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F تحقيق
GP2M012A080NG Image GP2M012A080NG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN تحقيق
GP2M011A090NG Image GP2M011A090NG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN تحقيق

Latest الأخبار