يشترى GPA030A135MN-FDR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
GPA030A135MN-FDR
- رقم القطعة:
- GPA030A135MN-FDR
- وصف:
- IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14358 Pieces
- ورقة البيانات:
- GPA030A135MN-FDR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GPA030A135MN-FDR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GPA030A135MN-FDR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1350V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.4V @ 15V, 30A |
| اختبار حالة: | 600V, 30A, 5 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 30ns/145ns |
| تحويل الطاقة: | 4.4mJ (on), 1.18mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-3PN |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 450ns |
| السلطة - ماكس: | 329W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-3 |
| اسماء اخرى: | 1560-1221-1 1560-1221-1-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | GPA030A135MN-FDR |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول: | 300nC |
| وصف موسع: | IGBT Trench Field Stop 1350V 60A 329W Through Hole TO-3PN |
| وصف: | IGBT 1350V 60A 329W TO3PN |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 90A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 60A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لGPA030A135MN-FDR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRGB4B60KD1PBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 11A 63W TO220AB | تحقيق |
 |
IRG4PC40U | Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 160W TO247AC | تحقيق |
 |
GPA030A120MN-FD | Global Power Technologies Group | IGBT 1200V 60A 329W TO3PN | تحقيق |
 |
IXGH34N60B2 | IXYS | IGBT 600V 70A 190W TO247AD | تحقيق |
 |
GPA030A120I-FD | Global Power Technologies Group | IGBT 1200V 60A 329W TO247 | تحقيق |
|
IXGH25N100U1 | IXYS | IGBT 1000V 50A 200W TO247AD | تحقيق |
 |
IRG4BH20K-STRLP | Infineon Technologies | IGBT 1200V 11A 60W D2PAK | تحقيق |
 |
IKZ75N65NH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 75A CO-PACK TO-247-4 | تحقيق |
 |
APT60GT60BRG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 100A 500W TO247 | تحقيق |
 |
RJH60D3DPP-M0#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 35A 30W TO220FL | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog