العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - إغبتس - واحدة > GT50J121(Q)
GT50J121(Q)
رقم القطعة:
GT50J121(Q)
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15217 Pieces
ورقة البيانات:
GT50J121(Q).pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GT50J121(Q) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GT50J121(Q) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى GT50J121(Q) مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):600V
VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم:2.45V @ 15V, 50A
اختبار حالة:300V, 50A, 13 Ohm, 15V
تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C:90ns/300ns
تحويل الطاقة:1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
تجار الأجهزة حزمة:TO-3P(LH)
سلسلة:-
السلطة - ماكس:240W
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-3PL
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:GT50J121(Q)
نوع المدخلات:Standard
نوع IGBT:-
وصف موسع:IGBT 600V 50A 240W Through Hole TO-3P(LH)
وصف:IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
الحالي - جامع نابض (آي سي إم):100A
الحالي - جامع (IC) (ماكس):50A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لGT50J121(Q)

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXGA7N60BD1 Image IXGA7N60BD1 IXYS IGBT 600V 14A 80W TO263 تحقيق
IXGX100N160A Image IXGX100N160A IXYS IGBT TO247 تحقيق
STGW40NC60KD Image STGW40NC60KD STMicroelectronics IGBT 600V 70A 250W TO247 تحقيق
IRGS4062DTRLPBF Image IRGS4062DTRLPBF Infineon Technologies IGBT DISCRETES تحقيق
IRG4PC60FPBF Image IRG4PC60FPBF Infineon Technologies IGBT 600V 90A 520W TO247AC تحقيق
IRG4BC30F-S Image IRG4BC30F-S Infineon Technologies IGBT 600V 31A 100W D2PAK تحقيق
SGW10N60AFKSA1 Image SGW10N60AFKSA1 Infineon Technologies IGBT 600V 20A 92W TO247-3 تحقيق
IRGP6630DPBF Image IRGP6630DPBF Infineon Technologies IGBT 600V 47A 192W TO247AC تحقيق
IXGP20N120A3 Image IXGP20N120A3 IXYS IGBT 1200V 40A 180W TO220 تحقيق
FGH20N60SFDTU_F085 Image FGH20N60SFDTU_F085 Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 20A 165W TO247 تحقيق
IXYH40N120B3D1 Image IXYH40N120B3D1 IXYS IGBT 1200V 86A 480W TO247 تحقيق
IXXX300N60B3 Image IXXX300N60B3 IXYS IGBT 600V 550A 2300W TO247 تحقيق
IXGH40N120B2D1 Image IXGH40N120B2D1 IXYS IGBT 1200V 75A 380W TO247 تحقيق
IXYY8N90C3 Image IXYY8N90C3 IXYS IGBT 900V 20A 125W C3 TO-252 تحقيق
IXGT40N60C2D1 Image IXGT40N60C2D1 IXYS IGBT 600V 75A 300W TO268 تحقيق

Latest الأخبار