يشترى HFA06TB120S مع BYCHPS
شراء مع ضمان
HFA06TB120S
- رقم القطعة:
- HFA06TB120S
- وصف:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16836 Pieces
- ورقة البيانات:
- HFA06TB120S.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل HFA06TB120S ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك HFA06TB120S عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 3V @ 6A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V (1.2kV) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | HEXFRED® |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 80ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | *HFA06TB120S VS-HFA06TB120S VS-HFA06TB120S-ND VSHFA06TB120S VSHFA06TB120S-ND |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | HFA06TB120S |
| وصف موسع: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 6A Surface Mount D2PAK |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 1200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 6A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لHFA06TB120S
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SURS8160T3G | ON Semiconductor | DIODE GP ULT FAST 600V 1A SMB | تحقيق |
 |
HFA06TB120 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO220AC | تحقيق |
 |
HFA06TB120STRL | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK | تحقيق |
 |
HFA06PB120 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO247AC | تحقيق |
|
HFA06TB120STRR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK | تحقيق |
 |
50WQ04FN | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK | تحقيق |
 |
HSM840JE3/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO214AB | تحقيق |
|
BYV29-300-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC | تحقيق |
 |
C3D08060A | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220-2 | تحقيق |
 |
RGP10GE-E3/91 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SW 1A 400V 150NS DO204AL | تحقيق |
 |
1N5398G-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO15 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog