يشترى HGTG30N60B3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
HGTG30N60B3
- رقم القطعة:
- HGTG30N60B3
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- IGBT 600V 60A 208W TO247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14220 Pieces
- ورقة البيانات:
- HGTG30N60B3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل HGTG30N60B3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك HGTG30N60B3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 1.9V @ 15V, 30A |
| اختبار حالة: | 480V, 30A, 3 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 36ns/137ns |
| تحويل الطاقة: | 500µJ (on), 680µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 208W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | HGTG30N60B3-ND HGTG30N60B3FS |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | HGTG30N60B3 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 170nC |
| وصف موسع: | IGBT 600V 60A 208W Through Hole TO-247 |
| وصف: | IGBT 600V 60A 208W TO247 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 220A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 60A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لHGTG30N60B3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
HGTG30N60A4 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 75A 463W TO247 | تحقيق |
|
HGTG30N60A4D | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 75A 463W TO247 | تحقيق |
 |
IRGS4620DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 32A 140W D2PAK | تحقيق |
 |
STGW20V60DF | STMicroelectronics | IGBT 600V 40A 167W TO247 | تحقيق |
 |
APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | تحقيق |
|
HGTG30N60B3D | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 60A 208W TO247 | تحقيق |
|
HGTG30N60C3D | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 63A 208W TO247 | تحقيق |
 |
IXSH24N60BD1 | IXYS | IGBT 600V 48A 150W TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog