يشترى HGTP12N60A4D مع BYCHPS
شراء مع ضمان
HGTP12N60A4D
- رقم القطعة:
- HGTP12N60A4D
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- IGBT 600V 54A 167W TO220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12872 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.HGTP12N60A4D.pdf2.HGTP12N60A4D.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل HGTP12N60A4D ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك HGTP12N60A4D عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.7V @ 15V, 12A |
| اختبار حالة: | 390V, 12A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 17ns/96ns |
| تحويل الطاقة: | 55µJ (on), 50µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 30ns |
| السلطة - ماكس: | 167W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | HGTP12N60A4D_NL HGTP12N60A4D_NL-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | HGTP12N60A4D |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 78nC |
| وصف موسع: | IGBT 600V 54A 167W Through Hole TO-220AB |
| وصف: | IGBT 600V 54A 167W TO220AB |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 96A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 54A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لHGTP12N60A4D
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
HGTP12N60C3D | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 24A 104W TO220AB | تحقيق |
 |
SGL50N60RUFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 80A 250W TO264 | تحقيق |
|
HGTP12N60A4 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 54A 167W TO220AB | تحقيق |
 |
AUIRGP35B60PD | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A 308W TO247AC | تحقيق |
|
HGTP12N60C3 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 24A 104W TO220AB | تحقيق |
 |
IXGH100N30C3 | IXYS | IGBT 300V 75A 460W TO247 | تحقيق |
 |
SGW50N60HSFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 100A 416W TO247-3 | تحقيق |
 |
FGA70N30TTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 300V 201W TO3P | تحقيق |
 |
IRG4BC10SDPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 14A 38W TO220AB | تحقيق |
|
HGTP10N120BN | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog