يشترى HGTP5N120BND مع BYCHPS
شراء مع ضمان
HGTP5N120BND
- رقم القطعة:
- HGTP5N120BND
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18945 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.HGTP5N120BND.pdf2.HGTP5N120BND.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل HGTP5N120BND ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك HGTP5N120BND عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.7V @ 15V, 5A |
| اختبار حالة: | 960V, 5A, 25 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 22ns/160ns |
| تحويل الطاقة: | 450µJ (on), 390µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 65ns |
| السلطة - ماكس: | 167W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | HGTP5N120BND |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| بوابة المسؤول: | 53nC |
| وصف موسع: | IGBT NPT 1200V 21A 167W Through Hole TO-220AB |
| وصف: | IGBT 1200V 21A 167W TO220AB |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 40A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 21A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لHGTP5N120BND
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STGW40S120DF3 | STMicroelectronics | IGBT 1200V 40A TO247 | تحقيق |
 |
IXGH48N60A3D1 | IXYS | IGBT 600V 300W TO247AD | تحقيق |
 |
IXSK30N60BD1 | IXYS | IGBT 600V 55A 200W TO264 | تحقيق |
|
STGW50H60DF | STMicroelectronics | IGBT 600V 100A 360W TO247 | تحقيق |
 |
IRGPC50F | Infineon Technologies | IGBT FAST 600V 70A TO-247AC | تحقيق |
 |
IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | تحقيق |
|
IHW40N60R | Infineon Technologies | IGBT 600V 80A 305W TO247-3 | تحقيق |
 |
IGP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 12A 88W TO220-3 | تحقيق |
|
IXGH72N60A3 | IXYS | IGBT 600V 75A 540W TO247 | تحقيق |
 |
SGS23N60UFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 23A 73W TO220F | تحقيق |
 |
STGB8NC60KDT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 15A 65W D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog