HN1B04FE-Y,LF
HN1B04FE-Y,LF
رقم القطعة:
HN1B04FE-Y,LF
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15887 Pieces
ورقة البيانات:
HN1B04FE-Y,LF.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل HN1B04FE-Y,LF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك HN1B04FE-Y,LF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى HN1B04FE-Y,LF مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:250mV @ 10mA, 100mA
نوع الترانزستور:NPN, PNP
تجار الأجهزة حزمة:ES6
سلسلة:-
السلطة - ماكس:100mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SOT-563, SOT-666
اسماء اخرى:HN1B04FE-Y(T5L,F,T
HN1B04FE-Y(T5LFTTR
HN1B04FE-Y(T5LFTTR-ND
HN1B04FE-Y,LF(B
HN1B04FE-Y,LF(T
HN1B04FE-YLF(TTR
HN1B04FE-YLF(TTR-ND
HN1B04FE-YLFTR
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:HN1B04FE-Y,LF
تردد - تحول:80MHz
وصف موسع:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
وصف:TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:120 @ 2mA, 6V
الحالي - جامع القطع (ماكس):100nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):150mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات