HN3C51F-GR(TE85L,F - Toshiba Semiconductor and Storage - الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - صفائف HN3C51F-GR(TE85L,F

HN3C51F-GR(TE85L,F

رقم القطعة:: HN3C51F-GR(TE85L,F

الصانع:: Toshiba Semiconductor

وصف:: TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 18199 Pieces

ورقة البيانات:: HN3C51F-GR(TE85L,F.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل HN3C51F-GR(TE85L,F ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك HN3C51F-GR(TE85L,F عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى HN3C51F-GR(TE85L,F مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):	120V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:	300mV @ 1mA, 10mA
نوع الترانزستور:	2 NPN (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:	SM6
سلسلة:	-
السلطة - ماكس:	300mW
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	SC-74, SOT-457
اسماء اخرى:	HN3C51F-GR(TE85L,F) HN3C51F-GR(TE85LF)TR HN3C51F-GR(TE85LF)TR-ND HN3C51F-GR(TE85LFTR HN3C51F-GRTE85LF HN3C51FGR(TE85LFTR HN3C51FGR(TE85LFTR-ND
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	HN3C51F-GR(TE85L,F
تردد - تحول:	100MHz
وصف موسع:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
وصف:	TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:	200 @ 2mA, 6V
الحالي - جامع القطع (ماكس):	100nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):	100mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لHN3C51F-GR(TE85L,F

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
PBSS4350SSJ	Nexperia USA Inc.	TRANS 2NPN 50V 2.7A 8SOIC	تحقيق
DMMT5401-7-F	Diodes Incorporated	TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT26	تحقيق
HN1B01FU-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN	تحقيق
HN3C51F-BL(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6	تحقيق
MAT03EHZ	Analog Devices Inc.	TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار