HN4A06J(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - صفائف HN4A06J(TE85L,F)

HN4A06J(TE85L,F)

رقم القطعة:: HN4A06J(TE85L,F)

الصانع:: Toshiba Semiconductor

وصف:: TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 14441 Pieces

ورقة البيانات:: HN4A06J(TE85L,F).pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل HN4A06J(TE85L,F) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك HN4A06J(TE85L,F) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى HN4A06J(TE85L,F) مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):	120V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:	300mV @ 1mA, 10mA
نوع الترانزستور:	2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
تجار الأجهزة حزمة:	SMV
سلسلة:	-
السلطة - ماكس:	300mW
التعبئة والتغليف:	Original-Reel®
حزمة / كيس:	SC-74A, SOT-753
اسماء اخرى:	HN4A06J(TE85LF)DKR
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	HN4A06J(TE85L,F)
تردد - تحول:	100MHz
وصف موسع:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
وصف:	TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:	200 @ 2mA, 6V
الحالي - جامع القطع (ماكس):	100nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):	100mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لHN4A06J(TE85L,F)

صورة	رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
	BC856S,125	Nexperia USA Inc.	TRANS 2PNP 65V 0.1A 6TSSOP	تحقيق
	HN2A01FE-GR(TE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار