يشترى HUF75829D3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | TO-251AA |
سلسلة: | UltraFET™ |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 110 mOhm @ 18A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 110W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | HUF75829D3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1080pF @ 25V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 70nC @ 20V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 150V 18A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-251AA |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 150V |
وصف: | MOSFET N-CH 150V 18A IPAK |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
Email: | [email protected] |