يشترى HUF76629D3ST_F085 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
HUF76629D3ST_F085
- رقم القطعة:
- HUF76629D3ST_F085
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15597 Pieces
- ورقة البيانات:
- HUF76629D3ST_F085.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل HUF76629D3ST_F085 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك HUF76629D3ST_F085 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±16V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252, (D-Pak) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 52 mOhm @ 20A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 150W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | HUF76629D3ST_F085-ND HUF76629D3ST_F085TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | HUF76629D3ST_F085 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1280pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 43nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 20A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 20A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لHUF76629D3ST_F085
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
HUF76629D3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 20A IPAK | تحقيق |
 |
HUF76629D3ST | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 20A DPAK | تحقيق |
|
HUF76629D3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 20A DPAK | تحقيق |
|
HUF76609D3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | تحقيق |
|
HUF76609D3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA | تحقيق |
 |
HUF76633S3ST_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 39A TO-263AB | تحقيق |
|
HUF76633S3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 38A D2PAK | تحقيق |
|
HUF76609D3ST | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | تحقيق |
|
HUF76619D3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 18A DPAK | تحقيق |
|
HUF76639S3ST | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK | تحقيق |
|
HUF76645S3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog