HUFA76629D3ST
HUFA76629D3ST
رقم القطعة:
HUFA76629D3ST
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17556 Pieces
ورقة البيانات:
HUFA76629D3ST.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل HUFA76629D3ST ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك HUFA76629D3ST عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى HUFA76629D3ST مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-252AA
سلسلة:UltraFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:52 mOhm @ 20A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):110W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:HUFA76629D3ST
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1285pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:46nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات