يشترى IGD01N120H2BUMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IGD01N120H2BUMA1
- رقم القطعة:
- IGD01N120H2BUMA1
- وصف:
- IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14699 Pieces
- ورقة البيانات:
- IGD01N120H2BUMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IGD01N120H2BUMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IGD01N120H2BUMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.8V @ 15V, 1A |
| اختبار حالة: | 800V, 1A, 241 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 13ns/370ns |
| تحويل الطاقة: | 140µJ |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO252-3 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 28W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | IGD01N120H2 IGD01N120H2-ND SP000014523 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IGD01N120H2BUMA1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 8.6nC |
| وصف موسع: | IGBT 1200V 3.2A 28W Surface Mount PG-TO252-3 |
| وصف: | IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 3.5A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 3.2A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIGD01N120H2BUMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRGBC40S | Infineon Technologies | IGBT STD 600V 50A TO-220AB | تحقيق |
 |
HGTG12N60C3D | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 24A 104W TO247 | تحقيق |
 |
MMIX1Y100N120C3H1 | IXYS | IGBT 1200V 92A 400W SMPD | تحقيق |
|
IRGBC40U | Infineon Technologies | IGBT UFAST 600V 40A TO-220AB | تحقيق |
 |
IXGP12N100AU1 | IXYS | IGBT 1000V 24A 100W TO220AB | تحقيق |
 |
STGP10NC60K | STMicroelectronics | IGBT 600V 20A 60W TO220 | تحقيق |
 |
IXDA20N120AS-TUBE | IXYS | IGBT 1200V 38A 200W TO263AB | تحقيق |
 |
IRG7PH50U-EP | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST TO247 | تحقيق |
 |
FGH40N60SMDF | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 80A 349W TO247 | تحقيق |
 |
IRG7PK42UD1MPBF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | تحقيق |
|
IRG7CH54K10EF | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | تحقيق |
 |
GPI040A060MN-FD | Global Power Technologies Group | IGBT 600V 80A 231W TO3PN | تحقيق |
 |
IRG4BC20FD-STRL | Infineon Technologies | IGBT 600V 16A 60W D2PAK | تحقيق |
|
FGA50N100BNTTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1000V 50A 156W TO3P | تحقيق |
|
IXYA8N90C3D1 | IXYS | IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog