يشترى IHW30N110R3FKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IHW30N110R3FKSA1
- رقم القطعة:
- IHW30N110R3FKSA1
- وصف:
- IGBT 1100V 60A 333W TO247-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15877 Pieces
- ورقة البيانات:
- IHW30N110R3FKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IHW30N110R3FKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IHW30N110R3FKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1100V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 1.75V @ 15V, 30A |
| اختبار حالة: | 600V, 30A, 15 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | -/350ns |
| تحويل الطاقة: | 1.15mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO247-3 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 333W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | IHW30N110R3 IHW30N110R3-ND SP000702510 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IHW30N110R3FKSA1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench |
| بوابة المسؤول: | 180nC |
| وصف موسع: | IGBT Trench 1100V 60A 333W Through Hole PG-TO247-3 |
| وصف: | IGBT 1100V 60A 333W TO247-3 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 90A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 60A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIHW30N110R3FKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IHW30N100R | Infineon Technologies | IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 | تحقيق |
|
IHW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 | تحقيق |
 |
IRGS8B60KTRLPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 28A 167W D2PAK | تحقيق |
|
IHW30N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 1200V 60A 349W TO247-3 | تحقيق |
|
IHW30N90R | Infineon Technologies | IGBT 900V 60A 454W TO247-3 | تحقيق |
|
IHW30N120R2 | Infineon Technologies | IGBT 1200V 60A 390W TO247-3 | تحقيق |
|
IHW30N160R2 | Infineon Technologies | IGBT 1600V 60A 312W TO247-3 | تحقيق |
 |
RJH60D7DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 90A 300W TO3P | تحقيق |
|
IHW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A 187W TO247-3 | تحقيق |
|
IHW30N90TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 900V 60A 428W TO247-3 | تحقيق |
 |
IXXX160N65C4 | IXYS | IGBT 650V 290A 940W PLUS247 | تحقيق |
|
IHW30N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 1350V 60A 349W TO247-3 | تحقيق |
 |
APT25GP90BDQ1G | Microsemi Corporation | IGBT 900V 72A 417W TO247 | تحقيق |
|
IHW30N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V TO247-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog