يشترى IHW50N65R5XKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IHW50N65R5XKSA1
- رقم القطعة:
- IHW50N65R5XKSA1
- وصف:
- IGBT 650V 80A 282W TO247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14231 Pieces
- ورقة البيانات:
- IHW50N65R5XKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IHW50N65R5XKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IHW50N65R5XKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 650V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 1.7V @ 15V, 50A |
| اختبار حالة: | 400V, 25A, 8 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 26ns/220ns |
| تحويل الطاقة: | 740µJ (on), 180µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO247-3 |
| سلسلة: | TrenchStop® |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 95ns |
| السلطة - ماكس: | 282W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | SP001133104 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IHW50N65R5XKSA1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 230nC |
| وصف موسع: | IGBT 650V 80A 282W Through Hole PG-TO247-3 |
| وصف: | IGBT 650V 80A 282W TO247 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 150A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 80A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIHW50N65R5XKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SKB04N60ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 9.4A 50W TO263-3 | تحقيق |
 |
IXGC16N60C2D1 | IXYS | IGBT 600V 20A 63W ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
IRGIB6B60KD116P | Infineon Technologies | IGBT 600V 11A 38W TO220FP | تحقيق |
|
IRGS4640DPBF | Infineon Technologies | DIODE 600V 40A D2PAK | تحقيق |
 |
IXGH36N60B3 | IXYS | IGBT 600V 92A 250W TO247 | تحقيق |
 |
IRG4BC40K | Infineon Technologies | IGBT 600V 42A 160W TO220AB | تحقيق |
 |
FGAF40N60SMD | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 80A 79W TO-3PF | تحقيق |
 |
NGTB20N120IHSWG | ON Semiconductor | IGBT 1200V 20A TO247 | تحقيق |
 |
FGA180N33ATTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 330V 180A 390W TO3P | تحقيق |
|
IRGS6B60KTRLPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 13A 90W D2PAK | تحقيق |
 |
STGWF40V60DF | STMicroelectronics | IGBT BIPO 600V 40A TO3P | تحقيق |
 |
AOB5B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 10A 82.4W TO263 | تحقيق |
|
IXGH28N90B | IXYS | IGBT 900V 51A 200W TO247AD | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog