يشترى IKW75N65EL5XKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IKW75N65EL5XKSA1
- رقم القطعة:
- IKW75N65EL5XKSA1
- وصف:
- IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15102 Pieces
- ورقة البيانات:
- IKW75N65EL5XKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IKW75N65EL5XKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IKW75N65EL5XKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 650V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 1.35V @ 15V, 75A |
| اختبار حالة: | 400V, 75A, 4 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 40ns/275ns |
| تحويل الطاقة: | 1.61mJ (on), 3.2mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO247-3 |
| سلسلة: | TrenchStop™ 5 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 114ns |
| السلطة - ماكس: | 536W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | IKW75N65EL5XKSA1IN SP001174464 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IKW75N65EL5XKSA1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 436nC |
| وصف موسع: | IGBT 650V 80A 536W Through Hole PG-TO247-3 |
| وصف: | IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 300A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 80A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIKW75N65EL5XKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3 | تحقيق |
|
IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 80A 428W TO247-3 | تحقيق |
 |
IXYK140N90C3 | IXYS | IGBT 900V 310A 1630W TO264 | تحقيق |
|
IKW75N60TA | Infineon Technologies | IGBT 600V 80A 428W TO247-3 | تحقيق |
|
IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3 | تحقيق |
 |
IXGH24N120C3 | IXYS | IGBT 1200V 48A 250W TO247 | تحقيق |
|
IKW30N65NL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 30A UFAST DIO TO247-3 | تحقيق |
 |
STGWS38IH130D | STMicroelectronics | IGBT 1300V 55A 180W TO247 | تحقيق |
 |
IRG4RC10UTRLPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 8.5A 38W DPAK | تحقيق |
 |
FGA20N120FTDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 40A 298W TO3PN | تحقيق |
 |
APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | تحقيق |
|
IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 80A 428W TO247-3 | تحقيق |
 |
SGP23N60UFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 23A 100W TO220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog