IMD16AT108
IMD16AT108
رقم القطعة:
IMD16AT108
الصانع:
LAPIS Semiconductor
وصف:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14616 Pieces
ورقة البيانات:
IMD16AT108.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IMD16AT108 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IMD16AT108 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IMD16AT108 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
نوع الترانزستور:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:SMT6
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):22k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):100k, 2.2k
السلطة - ماكس:300mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SC-74, SOT-457
اسماء اخرى:IMD16AT108-ND
IMD16AT108TR
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:IMD16AT108
تردد - تحول:250MHz
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
وصف:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):-
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA, 500mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات