يشترى IPA65R1K0CEXKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPA65R1K0CEXKSA1
- رقم القطعة:
- IPA65R1K0CEXKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V TO220-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13525 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPA65R1K0CEXKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPA65R1K0CEXKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPA65R1K0CEXKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 200µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO220 Full Pack |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 68W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 Full Pack |
| اسماء اخرى: | SP001429758 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPA65R1K0CEXKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 328pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 15.3nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Super Junction |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 7.2A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V TO220-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 7.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPA65R1K0CEXKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPA65R150CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220 | تحقيق |
 |
IPA65R1K5CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO220-3 | تحقيق |
|
IPA65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO220-3 | تحقيق |
|
IPA65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 | تحقيق |
|
IPA65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 | تحقيق |
|
IPA65R660CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A TO220 | تحقيق |
|
IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8A TO220 | تحقيق |
|
IPA65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO220-3 | تحقيق |
|
IPA65R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 | تحقيق |
|
IPA65R600E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 | تحقيق |
|
IPA65R110CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220 | تحقيق |
|
IPA65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | تحقيق |
|
IPA65R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog