IPB039N10N3 G
IPB039N10N3 G
رقم القطعة:
IPB039N10N3 G
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18560 Pieces
ورقة البيانات:
IPB039N10N3 G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB039N10N3 G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB039N10N3 G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPB039N10N3 G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 160µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO263-7
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:3.9 mOhm @ 100A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):214W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
اسماء اخرى:IPB039N10N3 G-ND
IPB039N10N3 GTR
IPB039N10N3G
IPB039N10N3GATMA1
SP000482428
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPB039N10N3 G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:8410pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:117nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):6V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:160A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات