يشترى IPB05N03LA G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPB05N03LA G
- رقم القطعة:
- IPB05N03LA G
- وصف:
- MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18782 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPB05N03LA G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB05N03LA G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB05N03LA G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 50µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO263-3-2 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4.6 mOhm @ 55A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 94W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | IPB05N03LAGXT SP000068872 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | IPB05N03LA G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3110pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 25nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 25V 80A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 25V |
| وصف: | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPB05N03LA G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB05N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 | تحقيق |
|
IPB057N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3 | تحقيق |
|
IPB05N03LB | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | تحقيق |
|
IPB052N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3 | تحقيق |
|
IPB05N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | تحقيق |
|
IPB05N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | تحقيق |
|
IPB054N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | تحقيق |
|
IPB054N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 | تحقيق |
|
IPB055N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 | تحقيق |
|
IPB05CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | تحقيق |
|
IPB050N06NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog