يشترى IPB09N03LA G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPB09N03LA G
- رقم القطعة:
- IPB09N03LA G
- وصف:
- MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18946 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPB09N03LA G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB09N03LA G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB09N03LA G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 20µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO263-3-2 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 8.9 mOhm @ 30A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 63W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | IPB09N03LAGXT SP000068859 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IPB09N03LA G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1642pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 13nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 25V 50A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 25V |
| وصف: | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPB09N03LA G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB093N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3 | تحقيق |
|
IPB09N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | تحقيق |
|
IPB097N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3 | تحقيق |
 |
IXTU2N80P | IXYS | MOSFET N-CH TO-251 | تحقيق |
 |
RSJ10HN06TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 100A LPTS | تحقيق |
 |
SI1037X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89 | تحقيق |
|
IPB096N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3 | تحقيق |
|
IPB09N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | تحقيق |
 |
BSS138N E8004 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 | تحقيق |
 |
IRF3709ZL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 87A TO-262 | تحقيق |
|
IPB090N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 | تحقيق |
|
IRF3515STRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTQ120N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P | تحقيق |
 |
NTHD3133PFT3G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog