العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPB100N06S3-04
IPB100N06S3-04
IPB100N06S3-04
رقم القطعة:
IPB100N06S3-04
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18286 Pieces
ورقة البيانات:
IPB100N06S3-04.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB100N06S3-04 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB100N06S3-04 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPB100N06S3-04 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 150µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO263-3-2
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:4.1 mOhm @ 80A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):214W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:IPB100N06S3-04-ND
IPB100N06S3-04INTR
IPB100N06S304XT
SP000102220
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IPB100N06S3-04
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:14230pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:314nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 55V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):55V
وصف:MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPB100N06S3-04

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPB100N06S3L-04 Image IPB100N06S3L-04 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 تحقيق
IPB100N06S2L05ATMA1 Image IPB100N06S2L05ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 تحقيق
IPB100N06S3L-03 Image IPB100N06S3L-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2 تحقيق
IPB100N08S207ATMA1 Image IPB100N08S207ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 تحقيق
IPB100N06S3-03 Image IPB100N06S3-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK تحقيق
IPB100N04S204ATMA1 Image IPB100N04S204ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 تحقيق
IPB100N06S205ATMA1 Image IPB100N06S205ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 تحقيق
IPB100N04S2L03ATMA1 Image IPB100N04S2L03ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 تحقيق
IPB100N06S205ATMA4 Image IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 تحقيق
IPB100N04S303ATMA1 Image IPB100N04S303ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 تحقيق
IPB100N08S2L07ATMA1 Image IPB100N08S2L07ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 تحقيق
IPB100N06S2L05ATMA2 Image IPB100N06S2L05ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 تحقيق

Latest الأخبار