العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPB120N04S401ATMA1
IPB120N04S401ATMA1
IPB120N04S401ATMA1
رقم القطعة:
IPB120N04S401ATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15958 Pieces
ورقة البيانات:
IPB120N04S401ATMA1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB120N04S401ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB120N04S401ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPB120N04S401ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 140µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO263-3
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.5 mOhm @ 100A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):188W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:IPB120N04S401ATMA1DKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:14 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPB120N04S401ATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:14000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:176nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 40V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف:MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPB120N04S401ATMA1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPB120N04S404ATMA1 Image IPB120N04S404ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 تحقيق
IPB120N06S402ATMA1 Image IPB120N06S402ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 تحقيق
IPB120N08S404ATMA1 Image IPB120N08S404ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 تحقيق
IPB120N03S4L03ATMA1 Image IPB120N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 تحقيق
IPB120N06S403ATMA2 Image IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 تحقيق
IPB120N04S4L02ATMA1 Image IPB120N04S4L02ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 تحقيق
IPB120N06S403ATMA1 Image IPB120N06S403ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 تحقيق
IPB120N06S402ATMA2 Image IPB120N06S402ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 تحقيق
IPB120N04S402ATMA1 Image IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2 تحقيق
IPB120N04S3-02 Image IPB120N04S3-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 تحقيق
IPB120N06N G Image IPB120N06N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 75A TO-263 تحقيق
IPB120N06S4H1ATMA2 Image IPB120N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 تحقيق

Latest الأخبار