العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPB160N04S203ATMA1
IPB160N04S203ATMA1
IPB160N04S203ATMA1
رقم القطعة:
IPB160N04S203ATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14246 Pieces
ورقة البيانات:
IPB160N04S203ATMA1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB160N04S203ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB160N04S203ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPB160N04S203ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO263-7-3
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:2.9 mOhm @ 60A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):300W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
اسماء اخرى:IPB160N04S2-03
IPB160N04S2-03-ND
SP000218151
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IPB160N04S203ATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:5300pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:170nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 40V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف:MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:160A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPB160N04S203ATMA1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPB160N04S3-H2 Image IPB160N04S3-H2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 تحقيق
IPB160N04S203ATMA4 Image IPB160N04S203ATMA4 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 تحقيق
IPB160N04S4LH1ATMA1 Image IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-7 تحقيق
IPB160N04S3H2ATMA1 Image IPB160N04S3H2ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 تحقيق
IPB160N04S4H1ATMA1 Image IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 تحقيق
IPB160N04S2L03ATMA2 Image IPB160N04S2L03ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO262-7 تحقيق
IPB160N04S2L03ATMA1 Image IPB160N04S2L03ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 تحقيق
IPB160N08S403ATMA1 Image IPB160N08S403ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-7 تحقيق

Latest الأخبار