يشترى IPB65R190C7ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPB65R190C7ATMA1
- رقم القطعة:
- IPB65R190C7ATMA1
- وصف:
- MOSFET N-CH TO263-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16718 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPB65R190C7ATMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB65R190C7ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB65R190C7ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 290µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO263 |
| سلسلة: | CoolMOS™ C7 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 190 mOhm @ 5.7A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 72W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | SP000929424 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPB65R190C7ATMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1150pF @ 400V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 23nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 13A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO263 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH TO263-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 13A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPB65R190C7ATMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | تحقيق |
|
IPB65R150CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263 | تحقيق |
|
IPB65R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263 | تحقيق |
|
IPB65R190CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | تحقيق |
|
IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | تحقيق |
|
IPB65R125C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | تحقيق |
|
IPB65R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO263 | تحقيق |
|
IPB65R280E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | تحقيق |
|
IPB65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 | تحقيق |
|
IPB65R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263 | تحقيق |
|
IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | تحقيق |
|
IPB65R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog