يشترى IPB70N10S3-12 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPB70N10S3-12
- رقم القطعة:
- IPB70N10S3-12
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13152 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPB70N10S3-12.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB70N10S3-12 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB70N10S3-12 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 83µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO263-3-2 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 11.3 mOhm @ 70A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 125W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | IPB70N10S3-12-ND IPB70N10S3-12INTR IPB70N10S312 IPB70N10S312ATMA1 SP000261246 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPB70N10S3-12 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4355pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 66nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPB70N10S3-12
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSO613SPV | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO | تحقيق |
 |
IPB70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 | تحقيق |
|
IPB70N10SL16ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 | تحقيق |
|
IPB70N04S406ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2 | تحقيق |
 |
IPB70N12S311ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | تحقيق |
 |
FDC3535 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 80V 6-SSOT | تحقيق |
|
IPB70N12S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | تحقيق |
|
IPB70N04S3-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 | تحقيق |
 |
NTD95N02RG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 12A DPAK | تحقيق |
|
IRF634STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK | تحقيق |
 |
BUK962R8-30B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | تحقيق |
|
IRF3709ZSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK | تحقيق |
|
IPB70P04P409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog