يشترى IPB77N06S3-09 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPB77N06S3-09
- رقم القطعة:
- IPB77N06S3-09
- وصف:
- MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17953 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPB77N06S3-09.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB77N06S3-09 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB77N06S3-09 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 55µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO263-3-2 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 8.8 mOhm @ 39A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 107W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | IPB77N06S309XT SP000088715 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IPB77N06S3-09 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 5335pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 103nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 55V 77A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 55V |
| وصف: | MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 77A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPB77N06S3-09
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ZVN0124ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3 | تحقيق |
 |
HUF75639S3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK | تحقيق |
 |
CSD25213W10 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA | تحقيق |
 |
IXTP1R6N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB | تحقيق |
 |
IPB77N06S212ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3 | تحقيق |
 |
IRF8721GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | تحقيق |
 |
GKI04031 | Sanken | MOSFET N-CH 40V 17A 8DFN | تحقيق |
 |
NVD5490NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 17A DPAK | تحقيق |
|
ZVN2120A | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 | تحقيق |
|
IPB77N06S212ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3 | تحقيق |
 |
IXTN79N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227 | تحقيق |
 |
ZVN4206GVTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 | تحقيق |
 |
SQ1470EH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70 | تحقيق |
 |
BUK7905-40AIE,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB | تحقيق |
 |
NTB23N03R | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK | تحقيق |
|
IRF2807ZSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog