العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPB80N06S4L05ATMA1
IPB80N06S4L05ATMA1
IPB80N06S4L05ATMA1
رقم القطعة:
IPB80N06S4L05ATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18192 Pieces
ورقة البيانات:
IPB80N06S4L05ATMA1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB80N06S4L05ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB80N06S4L05ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPB80N06S4L05ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.2V @ 60µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO263-3-2
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:4.8 mOhm @ 80A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):107W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:IPB80N06S4L-05
IPB80N06S4L-05-ND
SP000415570
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IPB80N06S4L05ATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:8180pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:110nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 60V 80A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف:MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPB80N06S4L05ATMA1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPB80N06S2L07ATMA3 Image IPB80N06S2L07ATMA3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 تحقيق
IPB80N06S208ATMA1 Image IPB80N06S208ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 تحقيق
IPB80N06S2L06ATMA2 Image IPB80N06S2L06ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 تحقيق
IPB80N06S4L07ATMA2 Image IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 تحقيق
IPB80N06S407ATMA2 Image IPB80N06S407ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 تحقيق
IPB80N06S4L07ATMA1 Image IPB80N06S4L07ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 تحقيق
IPB80N06S4L05ATMA2 Image IPB80N06S4L05ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 تحقيق
IPB80N06S2L-H5 Image IPB80N06S2L-H5 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 تحقيق
IPB80N06S405ATMA2 Image IPB80N06S405ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 تحقيق
IPB80N06S405ATMA1 Image IPB80N06S405ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 تحقيق
IPB80N06S2L06ATMA1 Image IPB80N06S2L06ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 تحقيق
IPB80N06S3-07 Image IPB80N06S3-07 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK تحقيق
IPB80N06S407ATMA1 Image IPB80N06S407ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 تحقيق

Latest الأخبار