العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPB90N06S4L04ATMA1
IPB90N06S4L04ATMA1
IPB90N06S4L04ATMA1
رقم القطعة:
IPB90N06S4L04ATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15434 Pieces
ورقة البيانات:
IPB90N06S4L04ATMA1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB90N06S4L04ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB90N06S4L04ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPB90N06S4L04ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.2V @ 90µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO263-3-2
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:3.4 mOhm @ 90A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):150W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:IPB90N06S4L-04
IPB90N06S4L-04-ND
SP000415574
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IPB90N06S4L04ATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:13000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:170nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 60V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف:MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPB90N06S4L04ATMA1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPB90R340C3ATMA1 Image IPB90R340C3ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 900V 15A TO-263 تحقيق
IPB90N06S404ATMA2 Image IPB90N06S404ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 تحقيق
SI4378DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC تحقيق
IPB90N06S4L04ATMA2 Image IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 تحقيق
IPB90N06S404ATMA1 Image IPB90N06S404ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 تحقيق
RSF010P03TL Image RSF010P03TL Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3 تحقيق
IPB90N04S402ATMA1 Image IPB90N04S402ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3-2 تحقيق
TK20P04M1,RQ(S Image TK20P04M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3 تحقيق

Latest الأخبار