يشترى IPD031N06L3 G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPD031N06L3 G
- رقم القطعة:
- IPD031N06L3 G
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13421 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPD031N06L3 G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD031N06L3 G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD031N06L3 G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.2V @ 93µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO252-3 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3.1 mOhm @ 100A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 167W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | IPD031N06L3 G-ND IPD031N06L3G IPD031N06L3GATMA1 SP000451076 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPD031N06L3 G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 13000pF @ 30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 79nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPD031N06L3 G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD03N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO-252 | تحقيق |
|
IPD031N03M G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD03N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 90A TO-252 | تحقيق |
|
IPD038N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD038N04NGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD036N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD031N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | تحقيق |
 |
STD30NE06L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 30A DPAK | تحقيق |
|
IPD035N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD034N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | تحقيق |
 |
APT80F60J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 | تحقيق |
 |
IPA60R520C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP | تحقيق |
 |
IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog