يشترى IPD068P03L3GATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPD068P03L3GATMA1
- رقم القطعة:
- IPD068P03L3GATMA1
- وصف:
- MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12120 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPD068P03L3GATMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD068P03L3GATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD068P03L3GATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 150µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO252-3 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6.8 mOhm @ 70A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 100W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | IPD068P03L3GATMA1-ND IPD068P03L3GATMA1TR SP001127838 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPD068P03L3GATMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7720pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 91nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 30V 70A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPD068P03L3GATMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD068N10N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD068P03L3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 | تحقيق |
 |
AON6424 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 11A 8DFN | تحقيق |
 |
IPB80N06S3-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
IPA80R1K4CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO-220-3 | تحقيق |
|
IPD06N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | تحقيق |
|
IPD068N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A | تحقيق |
 |
SI8497DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT | تحقيق |
|
IPD06N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-252 | تحقيق |
|
IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | تحقيق |
 |
IRL3714PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB | تحقيق |
 |
NTMFS4927NCT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8SOFL | تحقيق |
 |
SI5855DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8 | تحقيق |
|
IPD060N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog