IPD09N03LB G
IPD09N03LB G
رقم القطعة:
IPD09N03LB G
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12251 Pieces
ورقة البيانات:
IPD09N03LB G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD09N03LB G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD09N03LB G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPD09N03LB G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 20µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO252-3
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:9.1 mOhm @ 50A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):58W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:IPD09N03LBGXT
SP000016412
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):3 (168 Hours)
الصانع الجزء رقم:IPD09N03LB G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1600pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:13nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات