IPD26N06S2L35ATMA1
IPD26N06S2L35ATMA1
رقم القطعة:
IPD26N06S2L35ATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17958 Pieces
ورقة البيانات:
IPD26N06S2L35ATMA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD26N06S2L35ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD26N06S2L35ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPD26N06S2L35ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 26µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO252-3
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:35 mOhm @ 13A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):68W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:IPD26N06S2L-35
IPD26N06S2L-35-ND
SP000252165
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IPD26N06S2L35ATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:621pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:24nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 55V 30A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):55V
وصف:MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات