العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPD60R600P7ATMA1
IPD60R600P7ATMA1
رقم القطعة:
IPD60R600P7ATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15811 Pieces
ورقة البيانات:
IPD60R600P7ATMA1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD60R600P7ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD60R600P7ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPD60R600P7ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 80µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO252-3
سلسلة:CoolMOS™ P7
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:600 mOhm @ 1.7A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):30W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:IPD60R600P7ATMA1DKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:2 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPD60R600P7ATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:363pF @ 400V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:9nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 650V 6A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف:MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPD60R600P7ATMA1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPD60R600C6BTMA1 Image IPD60R600C6BTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 تحقيق
IPD60R600E6 Image IPD60R600E6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 تحقيق
IPD60R600C6ATMA1 Image IPD60R600C6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 تحقيق
IPD60R600P6 Image IPD60R600P6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 تحقيق
IPD60R600CPBTMA1 Image IPD60R600CPBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252 تحقيق
IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies CONSUMER تحقيق
IPD60R600P6ATMA1 Image IPD60R600P6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 تحقيق
IPD60R650CEBTMA1 Image IPD60R650CEBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 7A TO252 تحقيق
IPD60R600CPATMA1 Image IPD60R600CPATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252 تحقيق
IPD60R600E6ATMA1 Image IPD60R600E6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 تحقيق

Latest الأخبار